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        2. 位置:51電子網 » 企業新聞

          TPD2E007DCKR

          發布時間:2020/5/2 21:48:00 訪問次數:68發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





          描述:IS61WV51216EDBLL-10TLI
          ISSI IS61WV51216EDALL和IS61 / 64WV51216EDBLL是高速8M位靜態RAM按16位組織為512K字。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的過程加上創新電路設計技術,可產生高性能和低功耗設備。當CE為高(取消擇)時,設備假定待機模式下功耗可以達到降低了CMOS輸入電平。通過使用芯片使能和輸出使能輸入CE和OE,可以輕松擴展存儲器。 activeLOW寫使能(WE)控制著存儲器的寫和讀。數據字節允許高字節(UB)和低字節(LB)訪問。該器件采用JEDEC標準44引腳封裝TSOP II型和48引腳迷你BGA(6mm x 8mm)。


          特征:IS61WV51216EDBLL-10TLI
          •高速訪問時間:8、10、20 ns
          •高性能,低功耗CMOS工藝
          •多個中心電源和接地引腳可增強抗噪能力
          •通過CE和OE選項輕松擴展內存
          •CE掉電
          •完全靜態操作:無需時鐘或刷新
          •TTL兼容輸入和輸出
          •單電源
          – Vdd = 1.65V至2.2V(IS61WV51216EDALL)
          – Vdd = 2.4V至3.6V(IS61 / 64WV51216EDBLL)
          •可用軟件包:
          – 48球miniBGA(6mm x 8mm)
          – 44引腳TSOP(II型)
          •工業和汽車溫度支持
          •無鉛
          •高低字節數據控制


          制造商:IS61WV51216EDBLL-10TLI
          ISSI
          產品種類:
          靜態隨機存取存儲器
          RoHS:
          詳細信息
          存儲容量:
          8 Mbit
          組織:
          516 k x 16
          訪問時間:
          10 ns
          接口類型:
          Parallel
          電源電壓-最大:
          3.6 V
          電源電壓-最小:
          2.4 V
          電源電流—最大值:
          50 mA
          最小工作溫度:
          - 40 C
          最大工作溫度:
          + 85 C
          安裝風格:
          SMD/SMT
          封裝 / 箱體:
          TSOP-44
          封裝:
          Tray
          存儲類型:
          SDR
          系列:
          IS61WV51216EDBLL
          類型:
          Asynchronous
          商標:
          ISSI
          濕度敏感性:
          Yes
          產品類型:
          SRAM
          子類別:
          Memory & Data Storage
          單位重量:
          470 mg












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